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#研究成果 【下個世代的記憶體，MRAM 技術大突破！】
現代人對於電腦、手機等 3C 產品的性能需求愈來愈高，隨手使用一下都要處理與儲存大量的資訊。因此，記憶體元件處理資訊的速度、儲存資訊的密度與穩定度是各家半導體大廠的競爭所在。
傳統半導體從 28 奈米、20 奈米，到 10 奈米、5 奈米，不斷縮小電晶體尺寸，來提升儲存資料量和運算速度的競爭力。然而，5… 更多 奈米也不過是幾個原子的大小，這種方式幾乎到達物理上的極限，想要有所突破、維持競爭力，需要在其他方面尋找出路。而磁阻式隨機存取記憶體（MRAM），兼具處理與儲存資訊的功能，且斷電時資訊不會流失，電源開啟可即時運作，耗能低、讀寫速度快，被視為下一世代的記憶體關鍵！
在科技部長期的支持下，國立清華大學National Tsing Hua University賴志煌教授與林秀豪教授的研究團隊，發展出以 #電子自旋流 來操控 MRAM 中鐵磁層磁矩的釘鎖方向，突破了過往 MRAM 在操控方法上的困境，技術獨步全球，研究成果於今年 2 月 19 日刊登於材料領域頂尖期刊《自然材料》（Nature Materials）。
目前普遍使用的動態隨機存取記憶體（DRAM）是以電荷當作記憶單元，單元中有儲存電荷者代表「1」，沒有電荷者代表「0」，此種方式會有漏電狀況，需要持續供電。而 MRAM 是利用電子的自旋特性，以磁矩的方向作為記憶單元，當斷電時，儲存的資料不會流失，是一種非揮發性記憶體技術，可說是「不會失憶」的記憶體。也因此，MRAM 可大幅降低耗能程度，採用MRAM 的產品待機時間至少可延長一倍。
MRAM… 更多
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