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106年度研發精進計畫成果第二彈，高耐壓、低成本、品質更佳的新型6吋晶圓!!🎉
由環球晶圓股份有限公司、國立交通大學光電工程研究所以及國家奈米元件實驗室共同開發的新型SOI(AlN)基板，從基板、晶圓接合、磊晶到E mode HEMT元件製程及驗證技術，發展出具優良動態特性的6吋晶圓高耐壓E-mode GaN on Novel SOI HEMT技術，同時也具備台灣首個可以服務8吋、6吋或破片的氮化嫁功率製程平台。🤗… 更多
本計畫成功開發出品質更佳、成本更低以及能有效提升產能的前瞻性產品，並在國際市場有多達8件專利技術布局，以GaN為元件核心的電路系統，可以解決傳統設計上所面臨到的問題，為新一代高壓節能電子開創新的契機。🌏 #環球晶圓股份有限公司
#國立交通大學光電工程研究所
#國家奈米元件實驗室
#高功率基板

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